北京石竹科技发布最新SATA-E系列产品
北京石竹科技于2012年3月19日正式对外发布SATA电子盘最新系列产品SATA-E。该系列产品相对于之前的电子盘，具有更高的读写速度，最高可达260MB/s；更大的容量，最高可达512GB。SATA-E解决了一些客户对高读写带宽、大存储容量的高可靠性、高安全性的问题。 SATA-E是标准SATAⅡ接口，兼容SATAⅠ接口，具有三大核心技术：DuraWrite技术；安全擦除；掉电保护。 1. DuraWrite技术 SATA-E系列电子盘独有的DuraWrite技术，通过特殊的数据缩量算法，将写入放大率降低50%。经测试得出，完整安装Windows 7和Office 2007需要写入25GB的数据，但通过DuraWrite技术，实际写入闪存的数据只有11GB，因此在进行读写操作时，可大幅提升传输速度，减小了闪存的实际磨损程度，间接延长了MLC的写入次数，几乎与SLC的写入次数相当。 2. 安全擦除 SATA-E系列电子盘具有三种安全擦除功能，分别是加密擦除、加密和物理块擦除、军级擦除，擦除程度依次加强。这三种级别的安全擦除均可彻底擦除盘中的数据，保证数据擦除后无法修复，有效防止数据泄漏，充分保证用户数据的安全性。 1) 加密擦除：主要擦除SSD的各类映射表，如坏块管理表、动态映射表、静态映射表、碎片回收表等，通过擦除NAND Flash的各类映射表，造成数据完全不可恢复，擦除时间< 4s。执行加密擦除后，映射数据完全丢失，盘可以继续使用。 2) 加密和物理块擦除：除进行加密擦除外，还对所有的NAND Flash Block执行Erase操作，保证所有NAND Flash存储单元值恢复为出厂状态，即0XFF，擦除速度约3GB/s。执行加密和物理块擦除后，映射数据及物理块数据完全丢失，盘可以继续使用。 3) 军级擦除：军级擦除由加密擦除、物理块擦除、NAND Flash存储单元OverWrite组成，加密擦除和物理块擦除同上，NAND Flash存储单元OverWrite是向NAND Flash的每一个Page写入特定的数据或随机的数据。执行军级擦除后，映射数据完全丢失，NAND Flash所有Block执行过Erase操作，NAND Flash所有Page执行了特定或随机数据写操作，盘可以继续使用。 3. 掉电保护 SATA-E系列电子盘具有掉电保护功能，在车载、舰载、机载等恶劣复杂应用环境中，容易出现电源不稳等问题，经常导致盘中的数据丢失、受损而无法打开文件，甚至设备因此而无法启动等问题。SATA-E电子盘内部的掉电保护电路，可以确保电子盘内数据是安全的、完整的，从而保证了您的设备正常启动及运行，详见“SATA-E电子盘掉电测试报告”。 SATA-E电子盘典型特点： ★性能参数： 容量 MLC:32GB～512GB SLC:32GB～256GB 接口 SATA II，3Gbps 持续读速度 260MB/s 持续写速度 260MB/s IOPS（Random Write） 30,000（@4K blocks） IOPS（Random Read） 30,000（@4K blocks） 尺寸 100.2mmx69.8mmx9.6mm ★安全可靠性： ECC 每512字节扇区最高可纠错24字节 AES加密 128位AES加密 MTTR <20分钟 MTBF 10,000,000小时 ★环境参数： 工作温度 -55℃～+85℃（军品级） -40℃～+85℃（工业级） 0℃～+70℃（商业级） 存储温度 -55℃～+125℃ 功耗 睡眠<0.09W；典型<0.9W 工作高度 >10000m 数据保存时间 10年 振动 0.04g2Hz（20Hz～2000Hz，随机，3轴） 冲击 30g ★兼容性： 接口 SATA II/3.0Gbps ; SATA I /1.5Gbps 操作系统 Windows XP/Windows 7/Linux/VxWorks 电源 +5V 相对于国内外其他电子盘，SATA-E电子盘具有高性能的持续读写带宽，实测速度约260MB/s，在安全擦除、掉电保护、AES数据加密等功能支持上更加全面，工作温度范围更宽，军品级工作温度-55℃～+85℃，尤其适合对数据安全性有特殊要求的行业应用。 相关文档：SATA-E电子盘掉电测试报告 相关文档：SATA-E电子盘安全擦除测试报告 相关产品：XMC/PMC物理自毁电子盘
